| 主权项 |
1.一种微结构化之组合,包括: 一基材;及 设置于基材上之复数个微结构,该复数个微结构包 括交替的包括一材料之障壁部分及地面部分,其分 别具有障壁表面及地面表面,各障壁部分及相邻的 地面部分藉由曲线部分结合,此曲线部分具有延伸 自地面表面并实质上与其成连续的曲面,及其中该 地面部分之材料与障壁部分之材料系连续的。 2.根据申请专利范围第1项之组合,其中该基材系为 玻璃基材,其包括复数个设置于玻璃基材上之电极 。 3.根据申请专利范围第2项之组合,其中该微结构系 与基材上之复数个电极对准。 4.根据申请专利范围第1项之组合,其中该曲面系由 单一的曲率半径所定义。 5.根据申请专利范围第4项之组合,其中该曲面包括 在障壁部分高度之5-200%范围内之曲率半径。 6.根据申请专利范围第1项之组合,其中该曲面系由 至少两曲率半径所定义。 7.根据申请专利范围第6项之组合,其中最小的曲率 半径系障壁部分高度之至少5%,及最大的曲率半径 系障壁部分高度之不多于200%。 8.根据申请专利范围第6项之组合,其中该曲面包括 靠近地面表面之第一曲率半径及靠近障壁表面之 第二曲率半径,其中该第二曲率半径较该第一曲率 半径小。 9.根据申请专利范围第1项之组合,其中该曲面系起 自较障壁部分之顶部更靠近基材之障壁斜率线。 10.根据申请专利范围第1项之组合,其中该曲面系 终止于较障壁斜率线更靠近邻接障壁部分之电极 之侧面的地面线。 11.根据申请专利范围第1项之组合,其中该曲线部 分之截面积系在障壁部分面积之5-80%之范围内。 12.根据申请专利范围第1项之组合,其中该障壁部 分更包括阶梯形状的末端。 13.根据申请专利范围第12项之组合,其中该阶梯形 状的末端包括至少两阶梯。 14.根据申请专利范围第13项之组合,其中各阶梯包 括: 高度至少20微米之垂直阶梯表面, 宽度较该垂直阶梯表面之高度大之水平阶梯表面, 其中该垂直阶梯表面及该水平阶梯表面形成一阶 梯角,该阶梯角系至少90。 15.根据申请专利范围第1项之组合,其中该曲面及 该障壁表面实质上为连续。 16.根据申请专利范围第1项之组合,其中各障壁部 分具有不多于75微米之其顶部之宽度。 17.一种微结构化之组合,包括: 一背侧玻璃基材,其具有形成图案之复数个可独立 编址之电极;及 复数个陶瓷微结构,包括交替的包括一材料之障壁 部分及地面部分,其分别具有障壁表面及地面表面 ,各障壁部分及相邻的地面部分藉由曲线部分结合 ,此曲线部分具有延伸自地面表面并实质上与其成 连续的曲面,其中该地面部分之材料与障壁部分之 材料系连续的,该陶瓷微结构系与基材上之电极对 准。 18.一种形成微结构之方法,包括: 将可固化材料设置于图案化基材上; 利用模型将可固化材料成形成设置于图案化基材 上之复数个微结构,该复数个微结构包括交替的包 括一材料之障壁部分及地面部分,其分别具有障壁 表面及地面表面,各障壁部分及相邻的地面部分藉 由曲线部分结合,此曲线部分具有延伸自地面表面 并实质上与其成连续的曲面,其中该地面部分之材 料与障壁部分之材料系连续的;及 将模型移除。 19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该成形步 骤包括使可固化材料固化。 20.根据申请专利范围第18项之方法,其中该成形步 骤包括处理微结构,以使微结构实质上硬化。 21.根据申请专利范围第18项之方法,其中该成形步 骤包括将微结构脱黏及燃烧,以使微结构实质上硬 化。 22.根据申请专利范围第18项之方法,其更包括拉伸 模型,以使该复数个微结构之至少一部分与图案化 基材对准。 23.一种形成微结构之方法,包括: 将包含陶瓷粉末及可固化易变黏合剂之混合物的 料浆设置于经复数个电极图案化之玻璃基材上; 利用图案化模型将料浆成形成设置于基材上之复 数个微结构,该复数个微结构包括交替的包括一材 料之障壁部分及地面部分,其分别具有障壁表面及 地面表面,各障壁部分及相邻的地面部分藉由曲线 部分结合,此曲线部分具有延伸自地面表面并实质 上与其成连续的曲面,其中该地面部分之材料与障 壁部分之材料系连续的; 使可固化易变黏合剂固化以使料浆硬化及使料浆 黏着至基材; 将模型移除,而留下黏着至玻璃基材之料浆的原始 状态微结构,该原始状态微结构实质上系复制图案 化模型;及 将原始状态微结构脱黏及燃烧,以实质上烧尽易变 黏合剂及烧结陶瓷粉末,而形成陶瓷微结构。 24.一种将微结构之障壁末端成形之方法,包括: 将一重物外加至至少一原始状态微结构之障壁末 端,其中重物之一部分的底部与障壁末端之顶部角 落接触; 将原始状态微结构脱黏及燃烧;及 将重物移除。 25.根据申请专利范围第24项之方法,其中该重物包 括锆氧。 图式简单说明: 图1系电浆显示器面板组合之立体概略图式; 图2系于图案化基材上模塑及对准之微结构的横向 横剖面概略图式; 图3系将模型自原始状态微结构移除之方法的概略 图式; 图4系于图案化基材上之微结构的横向横剖面概略 图式,其显示自原始状态收缩的图案; 图5系陶瓷微结构障壁部分之末端的横向横剖面概 略图式,其显示自原始状态收缩的图案; 图6系于基材上之具有曲率之微结构之第一具体实 施例的横向横剖面概略图式; 图7系于基材上之具有曲率之微结构之第二具体实 施例的横向横剖面概略图式; 图8系于基材上之具有曲率之微结构之第三具体实 施例的横向横剖面概略图式; 图9系具有降低障壁部分宽度之微结构之一具体实 施例的横向横剖面概略图式; 图10系具有阶梯末端之微结构障壁部分之第一具 体实施例的横向横剖面概略图式; 图11系具有阶梯末端之微结构障壁部分之第二具 体实施例的横向横剖面概略图式; 图12系具有锥形末端之微结构障壁部分之横向横 剖面概略图式; 图13系具有重物之微结构障壁部分之横向横剖面 概略图式;及 图14系微结构之一部分表面之概略图式的横剖面 图。 |
