Halbleiterwafer mit einer Teststruktur und Verfahren

摘要

Es wird ein Halbleiterwafer mit einer Teststruktur zum Nachweisen parasitärer Kontaktstrukturen auf dem Halbleiterwafer vorgeschlagen, bei dem in einer ersten Leiterbahnebene (A) zueinander parallel verlaufende Leiterbahnen (1) und zwischen ihnen eine zweite Leiterbahn (2) angeordnet sind. Die beiden ersten Leiterbahnen (1) sind durch über ihnen angeordnete Kontaktelemente (4) mit einer dritten Leiterbahn (3) verbunden, die in einer zweiten Leiterbahnebene (B) quer zu den ersten und zweiten Leiterbahnen verläuft und daher auch die zweite Leiterbahn (2) überquert. Sofern zwischen den Kontaktelementen (4) eine parasitäre Kontaktstruktur (5) ausgebildet ist, die bei der lithographischen Belichtung zur Herstellung der Kontaktelemente (4) aufgrund konstruktiv interferierender Beugungsmaxima entstanden sind, wird dadurch die zweite Leiterbahn (2) mit der dritten Leiterbahn (3) kurzgeschlossen. Dadurch entsteht ein Leckstrompfad senkrecht zur Substratoberfläche (10a), der auch bei sehr schmalen parasitären Kontaktstrukturen (5) von der zweiten (2) bis zur dritten Leiterbahn (3) reicht. Werden die zweite und die dritte Leiterbahn durch Testnadeln kontaktiert, ist durch eine elektrische Messung die Ausdehnung einer parasitären Kontaktstruktur (5) mit besonders großer Wahrscheinlichkeit nachweisbar.