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Eine dynamische Direktzugriffsspeicherzelle, die einen Transistor umfasst, der in einem Halbleiterkörper gebildet ist. Ein Kondensator ist mit dem Transistor gekoppelt und umfasst eine erste Kondensatorplatte, die aus Silizium gebildet ist. Eine Metallschicht ist benachbart zu und elektrisch gekoppelt mit der ersten Kondensatorplatte. Eine Kondensator-Dielektrikum-Schicht ist benachbart zu der Metallschicht. Die Kondensator-Dielektrikum-Schicht weist ein Material mit einer dielektrischen Konstante größer als ungefähr 5 auf. Eine zweite Kondensatorplatte ist benachbart zu dem Kondensator-Dielektrikum. Der Kondensator kann entweder ein Grabenkondensator oder ein gestapelter Kondensator sein.
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