附有导电膜之基体及其制造方法

摘要

本发明系提供一种无需进行成膜后之加热处理、膜表面的研磨、成膜后之氧的电浆处理等复杂之后步骤，可取得表面平滑性良好之附有导电膜基体之制造方法。基体上形成以锡掺杂氧化铟为主成份之导电膜所成之附有导电膜之基体，于该导电膜之基板侧形成以添加氧化钇之氧化锆为主成份之基底膜所成之附有导电膜之基体，该基底膜中之含氧化钇量为对于Y2O3，与ZrO2，之总量而言以0.l～50莫耳％者宜。