制作超高伸张应力膜以及应变矽电晶体的方法

摘要

本发明披露一种制作超高伸张应力膜的方法，首先进行电浆加强化学气相沈积制程，于基底的表面上沈积一过渡氮化矽膜，且该过渡氮化矽膜具有一第一氢原子浓度，接着对该过渡氮化矽膜进行UV照射制程，将该过渡氮化矽膜的第一氢原子浓度降低至一第二氢原子浓度。