单一金属闸极互补式金氧半导体元件

摘要

一种半导体元件，包含于基板结构上形成p–型金氧半导体电晶体。p–型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上之源极／汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间的通道区域、覆盖于通道区域上之闸介电层及位于闸介电层上之闸极。相对于半导体基板而言，闸极系利用具有n–型功函数之材料形成，并处理闸极使闸极相对于半导体基板而言具有中能隙型或p–型功函数。