非对称半导体装置中用于增强效能之方法及设备

摘要

本发明提供一种用于增强一半导体装置中效能之方法及设备。在一实施例中，一第一电流区(64、76、23)、一通道区及一第二电流区(75、33、66)彼此邻接。该第二电流区(75、33、66)中一合金之一第一元素的含量大于该第一电流区(64、76、23)中该第一元素之含量，其中该第二电流区(75、33、66)中该第一元素之含量大于该通道区中该第一元素之含量，该合金进一步包含一第二元素，该第一元素具有一第一价数，且该第二元素具有一第二价数。此外，该第一价数与该第二价数之总和为八。