形成闸介电层的方法

摘要

一种形成闸介电层的方法，首先于半导体基底上形成氧化矽层，接着使用含钝气与氮气的电浆对氧化矽层进行第一与第二掺氮步骤，以形成闸介电层。其中第一掺氮步骤与第二掺氮步骤相较之下，第一掺氮步骤之功率较低、压力较低，但钝气／氮气比较高。本发明利用第一掺氮步骤之偏深的氮掺质分布与第二掺氮步骤之偏浅的氮掺质分布的组合，得到较平坦的总掺质分布，以抑制在闸介电层产生之电子穿隧现象，而得以减少元件的漏电流。