反熔丝单元及其制程

摘要

本发明系一种反熔丝单元及其制程，其设有一个积体电路式的标准MOS电晶体，并具有以一金属矽化物层覆盖住的源极及汲极区，和至少一条将MOS电晶体围绕住至少一部份的电阻层式导电轨，以供传送一加热电流而使金属矽化物的金属扩散到整个汲极和／或源极接面。