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发明名称
用于薄膜电晶体之N型半导体材料N-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR THIN FILM TRANSISTORS
摘要
一包含有机半导体材料层之薄膜电晶体,该有机半导体材料层包含具有连接至各醯亚胺氮原子之经取代或未经取代苯烷基之四羧酸二醯亚胺3,4,9,10–基化合物。该等电晶体可进一步包含与该材料接触之间隔分离之第一及第二接触构件或电极。本发明进一步揭示一种较佳藉由昇华或溶液相沉积至一基板上来制造一有机薄膜电晶体装置之方法,其中该基板温度不高于100℃。
申请公布号
TW200629616
申请公布日期
2006.08.16
申请号
TW094145190
申请日期
2005.12.20
申请人
柯达公司
发明人
迪帕可 苏可拉;戴安 卡罗 弗瑞曼;旭比 佛瑞斯特 尼尔森
分类号
H01L51/30
主分类号
H01L51/30
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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