| 摘要 |
本发明系关于将电容器与MOS电晶体设置于同一半导体基板上的半导体装置，用以防止电容器的绝缘破坏。本发明之半导体装置之制造方法系在P型半导体基板1上之全面形成作为高耐压MOS电晶体之闸极绝缘摸的SiO2膜11。在覆盖与高耐压MOS电晶体形成区域R1及电容器形成区域R4邻接的沟槽绝缘膜7a、7b边缘之SiO2膜11a的一部分上，选择性地形成光阻层(photoresist)12，将此光阻层12作为遮罩，藉由蚀刻去除SiO2膜11。进行此蚀刻时，由于光阻层12成为遮罩，因此与电容器邻接的沟槽绝缘膜7a、7b边缘不会被过度挖掘。进行此蚀刻时留下的SiO2膜11a与之后形成的SiO2膜系作为电容器绝缘膜。 |
