乾式蚀刻方法及乾式蚀刻装置

摘要

本发明之目的系为了在蚀刻中止层上形成有由矽系材料所构成的被蚀刻层之处理对象物的乾式蚀刻中，抑制缺口的产生。基板在蚀刻中止层上具备由矽系材料所构成的被蚀刻层。导入SF6／C4F8气体作为蚀刻气体使电浆产生，蚀刻被蚀刻层之从光阻遮罩露出来的部分。在沟渠和孔洞的侧壁上形成由聚合物构成的侧壁保护层。