| 摘要 |
不同厚度之闸极绝缘膜12A及12B形成于一晶圆10之隔离膜16中之元件开口16a及16b中。该闸极绝缘膜12B为最薄之闸极绝缘膜。一具有与该最薄之闸极绝缘膜12B相同之厚度之虚设绝缘膜形成于晶圆周边区域WP中。闸电极20A及20B形成于闸极绝缘膜12A及12B上，且其后一绝缘膜沈积于该晶圆表面上。该所沈积之绝缘膜经乾式蚀刻，以形成闸电极20A及20B之侧墙上的侧墙间隔物22a至22d。在乾式蚀刻期间，藉由蚀刻副产物之发射光谱强度的变化，而将半导体表面曝光于元件开口16b及区域WP中时之时间侦测为一蚀刻终点。 |
