| 摘要 |
本发明系关于一种包括一第Ⅲ至Ⅴ族化合物半导体之发光装置，其包括一第一堆叠体(10)与一第二堆叠体(20)。该第一堆叠体(10)包括一第Ⅲ至Ⅴ族化合物半导体堆叠体(11)及形成于该第Ⅲ至Ⅴ族化合物半导体堆叠体(11)之一主表面上之一反射层(108)、一第一扩散抑制层(109)与一第一金属层(110)。该第二堆叠体(20)包括一半导体基板(201)与一第二金属层(205)。该第一堆叠体(10)与该第二堆叠体(20)藉由该第一金属层(110)与该第二金属层(205)接合，并藉由该第一扩散抑制层(109)抑制该反射层(108)与该第一金属层(110)之间之原子扩散。因此，可提供一种第Ⅲ至Ⅴ族化合物半导体装置每一晶片具有将光发射至外部之高效率，亦可提供其制造方法。 |
