发明名称 瓶型沟槽电容器的形成方法
摘要 一种瓶型沟槽电容器形成方法,包括:形成沟槽于基底中;形成电容器于沟槽的下部分;形成导电层于电容器上,且导电层以环状介电层与基底隔绝;以及于环状介电层上方之沟槽侧壁成长磊晶层,以缩小沟槽之开口面积。
申请公布号 TW200629578 申请公布日期 2006.08.16
申请号 TW094104298 申请日期 2005.02.15
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 苏国辉;吴昌荣;陈逸男
分类号 H01L29/92;H01L21/8242 主分类号 H01L29/92
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号