以TiC做为高介电値SiO2闸极叠堆上的热稳定p-金属碳化物TIC AS A THERMALLY STABLE P-METAL CARBIDE ON HIGH K SIO2 GATE STACKS

摘要

提供一种包含TiC的化合物金属，该TiC为具约4.75至约5.3eV，较佳为5eV，的功函数(workfunction)之一p型金属，该金属于含一高k介电材料及一介面层之一闸极堆叠上为热稳定的。也提供一种制造TiC化合物金属的方法。此外，本发明之TiC金属化合物于1000℃时为一非常有效的氧扩散屏障，使一p金属氧化物半导体(pMOS)装置中之等效氧化层厚度(EOT)及反转层厚度大幅缩限至14以下。