| 摘要 |
本发明揭示一种在一绝缘物上半导体(SOI)基板(20)中形成一接点柱(36)及周围隔离沟渠(28)之方法。该方法包含自该基板(20)之一主动层(6)蚀刻一接触孔(26)及周围隔离沟渠(28)至绝缘层(4)，遮罩该沟渠(28)及进一步蚀刻该接触孔(26)至基础基板层(2)，为该沟渠(28)及接触孔(26)填充未掺杂固有多晶矽(34)且然后关于填充接触孔(26)的多晶矽材料执行一掺杂过程以就地形成一高度掺杂接点柱(36)，而填充该隔离沟渠(28)之材料保持非导电性。该方法使得隔离沟渠及接点柱能够大体上同时形成，以避免装置制造过程中之不当干扰。 |
