| 摘要 |
本发明提供磁隧接面(MTJ)元件结构及用于制造MTJ元件结构之方法。一MTJ元件结构(10)可包含一结晶受钉紮层(26)、一非晶系固定层(30)，及一配置于该结晶受钉紮层与该非晶系固定层之间的耦合层(28)。该非晶系固定层(30)反铁磁性地耦合至该结晶受钉紮层(26)。该MTJ元件进一步包含一自由层(34)及一配置于该非晶系固定层与该自由层之间的隧道障壁层(32)。另一MTJ元件结构(60)可包含一受钉紮层(26)、一固定层(30)及一配置于两者之间的非磁耦合层(28)。一隧道障壁层(32)配置于该固定层(30)与一自由层(34)之间。一界面层(62)配置于邻接该隧道障壁层(32)及一非晶系材料层(30)处。该第一界面层(62)包含一具有一高于该非晶系材料(30)之自旋极化率的自旋极化率之材料。 |
