非挥发性半导体记忆装置及相位变化记忆体

摘要

本发明之非挥发性半导体记忆装置包括：选择电晶体1，藉由设于以矩阵状排列之复数之字元线3与复数之位元线4的各交叉点的字元线3的电位控制流经位元线4之电流；记忆体元件群，由一端与选择电晶体1共通地连接，同时另一端分别连接于不同的元件选择线5，可将资讯写入及读取之既定数目之记忆体元件2构成；及，电流控制装置，透过为控制对象之选择电晶体1，经由从连接于选择电晶体1之记忆体元件群之中选出的记忆体元件2所连接之元件选择线5而供给既定电流，藉此控制对被选择之记忆体元件2的写入／读取动作；于半导体基板上，元件选择线5与位元线4系平行地配置。