发明名称 |
离子束溅镀装置及EUV微影术用反射型空白光罩的多层膜成膜方法 |
摘要 |
本发明之课题提供一种防止在成膜中之膜混入微粒而造成缺点的EUV空白光罩之多层膜的成膜方法,及适用于该方法之离子束溅镀装置。本发明之解决手段一种使用离子束溅镀法,在成膜基板上成膜EUV微影术用反射型空白光罩的多层膜;其特征为使溅镀靶与成膜用基板,分开特定间隔来相对配置;将离子源,配置在粒子可从上述成膜用基板往上述溅镀靶侧直线移动之范围外的位置,而从该离子源对上述溅渡靶射入离子束。 |
申请公布号 |
TW200628623 |
申请公布日期 |
2006.08.16 |
申请号 |
TW094138129 |
申请日期 |
2005.10.31 |
申请人 |
旭硝子股份有限公司 |
发明人 |
杉山享司;宇野俊之;高木悟 |
分类号 |
C23C14/46;G03F1/08;H01L21/027 |
主分类号 |
C23C14/46 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |