半导体装置

摘要

〔课题〕提供使半导体装置可容易达成所希望的耐压的技术。〔解决手段〕以p杂质区域3界定的高电位岛区域201内的n^–半导体层2中形成n^＋杂质区域52，n^＋杂质区域52与p杂质区域3间的n^–半导体层2的上方多重地形成第1场极板55a～55e与复数第2场极板。在上层的第2场极板位于在下层的的第1场极板间的间隙上方，且配线30通过第2场极板的上方。第2场极板内最靠近p杂质区域3的第2场极板在配线30的下方具有切断处，而在上述切断处的下方的第1场极板间的间隙中形成分离的电极56。