发明名称 |
一种制备硫化镉纳米线的方法 |
摘要 |
本发明公开的制备硫化镉纳米线的方法,以氯化镉为镉源,硫脲为硫源,二苯硫腙为修饰剂,以己二胺为溶剂,于反应釜中充分反应制得。本发明制备方法以及使用设备简单;制得的CdS纳米线为单晶,沿(100)方向取向生长,长径比在250以上,尺寸分布均匀,纯度高。 |
申请公布号 |
CN1818153A |
申请公布日期 |
2006.08.16 |
申请号 |
CN200610049153.0 |
申请日期 |
2006.01.18 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
赵高凌;李红;韩高荣;杨金坚 |
分类号 |
C30B29/50(2006.01);C30B29/62(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/50(2006.01) |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
1.一种制备硫化镉纳米线的方法,其特征是包括以下步骤:1)将氯化镉、硫脲、二苯硫腙以摩尔比为10∶25~30∶1置入反应釜中,然后加入己二胺,封闭反应釜;2)将反应釜于180℃~300℃温度下充分反应,取黄色沉淀产物,然后用去离子水及乙醇交替反复洗涤;3)将步骤2)的产物放入真空干燥箱中,50℃~100℃下干燥。 |
地址 |
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |