发明名称 |
一种薰衣草快速再生方法 |
摘要 |
本发明涉及一种薰衣草快速再生方法,本发明选择经薰衣草种子萌发后的下胚轴为外植体在固体再生培养基上可以直接分化不定芽,然后在固体生根培养基上生根,并最终形成完整植株。本发明薰衣草下胚轴的直接出芽率为46.7%,生根率为95%,组培周期为60天。与愈伤组织再生系统相比,本发明可以越过外植体愈伤组织诱导和分化的阶段,培养周期减少了3-4个月,因此具有生长速度快、发芽率高等优点。使用本发明扩繁薰衣草不仅可以大大缩短生产周期,而且可以减小劳动强度从而节省大量的人力资源,具有很强的实用价值,为薰衣草规模化组培快繁提供了技术保障。 |
申请公布号 |
CN1817112A |
申请公布日期 |
2006.08.16 |
申请号 |
CN200610059350.0 |
申请日期 |
2006.03.03 |
申请人 |
中国科学院新疆理化技术研究所 |
发明人 |
邢文超;貟强;赵民安;曹旭 |
分类号 |
A01H4/00(2006.01);A01H3/00(2006.01);A01C1/00(2006.01);C12N5/04(2006.01) |
主分类号 |
A01H4/00(2006.01) |
代理机构 |
乌鲁木齐中科新兴专利事务所 |
代理人 |
张莉 |
主权项 |
1、一种薰衣草快速再生方法,其特征在于按下列步骤进行:a、挑取饱满的薰衣草种子,40℃温水浸泡,水凉后继续浸泡24h,将经过浸泡的薰衣草种子流水冲洗30min,75%的乙醇漂洗15-30s,无菌水冲洗1次后,用0.2%的二氯异氰尿酸钠溶液浸泡20-40min,然后用无菌水冲洗4-5次,将种子接种于MS固体培养基中,置25±1℃,8h光照,16h暗培养条件下进行培养,光照强度为1000-1500lx,15-20天后种子开始萌发,萌发率为53%;b、取经过种子萌发的无菌苗的下胚轴剪成3-6mm的小段,横向放置,接入琼脂固化MS+IAA 0-1.0mg·L-1+6-BA 1.0-2.0mg·L-1 的直接分化出芽培养基,15-20天后得到薰衣草不定芽;c、将不定芽接入琼脂固化的MS+NAA 2.0mg·L-1+6-BA 0.5mg·L-1 培养基上进行继代培养,15-20天,得到大量的组培苗;d、将组培苗接种于无激素的1/2MS培养基上进行生根培养,10-15天形成生根的小植株。 |
地址 |
830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |