| 发明名称 | 具有凹陷的对准标记的平面磁隧道结衬底 | ||
| 摘要 | 一种形成用于半导体器件的对准标记结构(148)的方法，该方法包括：在半导体器件衬底的选定层面处形成对准凹陷(130)。在所述选定的衬底层面上方以及在所述对准凹陷(130)内形成第一金属层(140)，其中所述对准凹陷(130)被形成为使得所述第一金属层(140)仅部分地填充所述对准凹陷(130)的深度。在所述第一金属(140)上方形成第二金属层(142)，使得所述对准凹陷(130)被完全填充。对所述第二金属层(142)和所述第一金属层(140)平面化，向下达到所述选定的衬底层面，从而在所述对准凹陷内产生所述第二层材料的牺牲柱塞(144)。按照基本上不使所述选定的衬底层面处经平面化后的表面变粗糙的方式去除所述牺牲柱塞(144)。 | ||
| 申请公布号 | CN1820359A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN03826962.7 | 申请日期 | 2003.06.24 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 迈克尔·C.·盖蒂斯 |
| 分类号 | H01L21/46(2006.01);H01L21/301(2006.01);H01L21/78(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/46(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种形成用于半导体器件的对准标记结构(148)的方法，该方法包括：在半导体器件衬底的选定层面处形成对准凹陷(130)；在所述选定的衬底层面上方以及在所述对准凹陷(130)内形成第一金属层(140)，其中所述对准凹陷(130)被形成为使得所述第一金属层(140)仅部分地填充所述对准凹陷(130)的深度；在所述第一金属(140)上方形成第二金属层(142)，使得所述对准凹陷(130)被完全填充；对所述第二金属层(142)和所述第一金属层(140)平面化，向下达到所述选定的衬底层面，从而在所述对准凹陷内产生所述第二层材料的牺牲柱塞(144)；以及按照基本上不使所述选定的衬底层面处经平面化后的表面变粗糙的方式去除所述牺牲柱塞(144)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||