| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。 | ||
| 申请公布号 | CN1270386C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200310115499.2 | 申请日期 | 2003.11.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 古畑武夫;水岛一郎;关原章子;岸田基也;原田翼;中尾隆 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;陈海红 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具备：半导体基板，沟槽，被形成在上述半导体基板或者堆积在上述半导体基板上的层上；第1导体层，被堆积在上述沟槽内部，在上面具有凹坑；埋入层，埋入上述第1导体层的凹坑，由比上述第1导体层熔点还低的导电性材料构成；第2导体层，在上述沟槽内部被设置在上述埋入层上，与上述第1导体层电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||