| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了CMOS图像传感器及其制造方法，其中杂质离子区形成在半导体基片中以形成光电荷的转移路径，从而同时改善死区特性和暗电流特性。CMOS图像传感器包括：第一传导型半导体基片，由有源区和装置隔离区限定；装置隔离膜，形成在对应于所述装置隔离区的所述第一传导型半导体基片中；栅电极，形成在对应于所述有源区的晶体管区的所述第一传导型半导体基片上；第二传导型第一杂质离子区及第一传导型第一杂质离子区，以沉积结构形成于所述栅电极下所述半导体基片中；第二传导型第二杂质离子区，形成于光电二极管区的所述半导体基片中；以及第一传导型第二杂质离子区，形成于第二传导型第二杂质离子区的表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1819250A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510137613.0 | 申请日期 | 2005.12.26 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 沈喜成;金泰雨 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器包括：第一传导型半导体基片，由有源区和装置隔离区限定；装置隔离膜，形成在对应于所述装置隔离区的所述第一传导型半导体基片中；栅电极，形成在对应于所述有源区的晶体管区的所述第一传导型半导体基片上；第二传导型第一杂质离子区及第一传导型第一杂质离子区，以沉积结构形成于所述栅电极下所述半导体基片中；第二传导型第二杂质离子区，形成于光电二极管区的所述半导体基片中；以及第一传导型第二杂质离子区，形成于第二传导型第二杂质离子区的表面上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||