| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，在多个微透镜之间形成遮光层，以改善反射特性，并在封装时保护微透镜。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底；至少一个光电二极管，在半导体衬底上；第一绝缘层，形成于包括有光电二极管的衬底上；多条金属线，形成于第一绝缘层上；第二绝缘层，形成于包括有金属线的第一绝缘层上；多个遮光层，形成于第二绝缘层上；以及微透镜，形成于多个遮光层之间的第二绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1819221A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510097115.8 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 李相基 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底；多个光电二极管，形成于所述半导体衬底上；第一绝缘层，形成于包括有所述光电二极管的所述衬底上；多条金属线，形成于所述第一绝缘层中；第二绝缘层，形成于包括有所述金属线的所述第一绝缘层上；多个遮光层，形成于所述第二绝缘层上；以及微透镜，形成于所述多个遮光层之间的所述第二绝缘层上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||