发明名称 |
CMOS图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法,通过消除平坦化层的厚度来改善图像特性。该CMOS图像传感器包括:半导体衬底;多个有源器件,其设置于半导体衬底的预定表面中,用于根据入射光量产生电荷;绝缘中间层,其形成于包括多个有源器件的半导体衬底的整个表面上;滤色器层,其形成于绝缘中间层上,滤色器层包括用于根据波长来分别过滤光的红色、绿色、和蓝色滤色器图样,滤色器图样布置为与多个有源器件相对应;以及多个微透镜,其形成于滤色器层上,其中,将滤色器层平坦化,以使滤色器层的各滤色器图样均具有相同的高度,以容纳多个微透镜。 |
申请公布号 |
CN1819220A |
申请公布日期 |
2006.08.16 |
申请号 |
CN200510023079.0 |
申请日期 |
2005.12.26 |
申请人 |
东部亚南半导体株式会社 |
发明人 |
金昇炫 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余刚 |
主权项 |
1.一种CMOS图像传感器,其包括:半导体衬底;多个有源器件,其设置于所述半导体衬底的预定表面中,用于根据入射光的量产生电荷;绝缘中间层,其形成于包括所述多个有源器件的所述半导体衬底的整个表面上;滤色器层,其形成于所述绝缘中间层上,所述滤色器层包括用于根据波长来分别过滤光的红色、绿色、和蓝色滤色器图样,所述滤色器图样布置为与所述多个有源器件相对应;以及多个微透镜,其形成于所述滤色器层上,其中,所述滤色器层被平坦化,以使所述滤色器层的各滤色器图样均具有相同的高度,以容纳所述多个微透镜。 |
地址 |
韩国首尔 |