发明名称 CMOS图像传感器及其制造方法
摘要 本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法,通过消除平坦化层的厚度来改善图像特性。该CMOS图像传感器包括:半导体衬底;多个有源器件,其设置于半导体衬底的预定表面中,用于根据入射光量产生电荷;绝缘中间层,其形成于包括多个有源器件的半导体衬底的整个表面上;滤色器层,其形成于绝缘中间层上,滤色器层包括用于根据波长来分别过滤光的红色、绿色、和蓝色滤色器图样,滤色器图样布置为与多个有源器件相对应;以及多个微透镜,其形成于滤色器层上,其中,将滤色器层平坦化,以使滤色器层的各滤色器图样均具有相同的高度,以容纳多个微透镜。
申请公布号 CN1819220A 申请公布日期 2006.08.16
申请号 CN200510023079.0 申请日期 2005.12.26
申请人 东部亚南半导体株式会社 发明人 金昇炫
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚
主权项 1.一种CMOS图像传感器,其包括:半导体衬底;多个有源器件,其设置于所述半导体衬底的预定表面中,用于根据入射光的量产生电荷;绝缘中间层,其形成于包括所述多个有源器件的所述半导体衬底的整个表面上;滤色器层,其形成于所述绝缘中间层上,所述滤色器层包括用于根据波长来分别过滤光的红色、绿色、和蓝色滤色器图样,所述滤色器图样布置为与所述多个有源器件相对应;以及多个微透镜,其形成于所述滤色器层上,其中,所述滤色器层被平坦化,以使所述滤色器层的各滤色器图样均具有相同的高度,以容纳所述多个微透镜。
地址 韩国首尔