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发明名称 FET gate structure with metal gate electrode and silicide contact and methods for forming same
摘要
申请公布号 KR100613068(B1) 申请公布日期 2006.08.16
申请号 KR20050000362 申请日期 2005.01.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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