| 发明名称 | 利用电泳进一步致密的SiO<SUB>2</SUB>成形体、其制造方法及用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备生坯密度极高的多孔SiO<SUB>2</SUB>生坯或生坯内具有以指定方式调节的密度梯度的多孔SiO<SUB>2</SUB>生坯的方法。按照本发明的方法，其特征在于通过电泳方式将SiO<SUB>2</SUB>颗粒沉积在生坯孔隙内，使已知的由无定形SiO<SUB>2</SUB>组成的多孔SiO<SUB>2</SUB>生坯进一步致密。 | ||
| 申请公布号 | CN1269765C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN01815348.8 | 申请日期 | 2001.09.06 |
| 申请人 | 瓦克化学有限公司 | 发明人 | 弗里茨·施韦特费格;约翰·魏斯;罗尔夫·克拉森;扬·塔贝利恩 |
| 分类号 | C04B35/14(2006.01);C25D13/02(2006.01);C30B15/10(2006.01);C30B35/00(2006.01);C03B19/06(2006.01) | 主分类号 | C04B35/14(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1、一种制备生坯密度极高的多孔SiO2生坯或生坯内具有密度梯度的多孔SiO2生坯的方法，其特征在于通过电泳方式将SiO2颗粒沉积在生坯孔隙内，使已知的由无定形SiO2制成的多孔SiO2生坯进一步致密。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||