| 发明名称 | 相变存储器装置 | ||
| 摘要 | 本发明的相变存储器装置具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在半导体基板上堆积相变材料的相变层中，在和一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使多个相变存储器元件中的每一个与一个MOS晶体管的扩散层电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1819256A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200610006478.0 | 申请日期 | 2006.02.09 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 浅野勇;藤幸雄;中井洁;川越刚 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);G11C11/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;李亚 |
| 主权项 | 1.一种相变存储器装置，其特征在于，具有：半导体基板；分别设置在矩阵状排列的多个字线和多个位线的各交点上的一个MOS晶体管；多个相变存储器元件，在上述半导体基板上堆积上述相变材料的相变层中，在和上述一个MOS晶体管的扩散层的上部相对的区域中形成，存储保持多位数据；以及下部电极构造，使上述多个相变存储器元件中的每一个与上述一个MOS晶体管的扩散层电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||