| 发明名称 | 带有半导体衬底和测试结构的半导体产品及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及带测试结构(5)的半导体产品(1)，其中接触端子(17)短接晶体管(10)的通过掺杂物质扩散区(15)与沟槽电容器(30)的内部电容器电极(31)连接的那个源极/漏极区(11)和印制导线(16)。于是可以通过电气测量确定掺杂物质扩散区(15)、即所谓的“埋带”的欧姆电阻，而不会由于晶体管沟道的欧姆电阻使测量结果失真。根据具有电容器电极(31)的多个电气连接端子的本发明扩展方案，还可以引导静态电流通过埋带和电容器电极(31)。本发明能够实现对半导体晶片的测试结构进行在存储单元区自身的存储单元上不能执行的电气电阻测量。 | ||
| 申请公布号 | CN1819199A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200610059988.4 | 申请日期 | 2006.01.20 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | A·费尔伯;S·拉亨曼;V·罗斯科普夫;S·苏克曼－普勒霍菲 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/544(2006.01);H01L21/66(2006.01);G01R31/28(2006.01);G01R31/26(2006.01);G11C29/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体产品(1)，具有半导体衬底(2)和测试结构(5)，该测试结构(5)具有下述部件：-至少一个第一晶体管(10)，该第一晶体管具有被布置在半导体衬底(2)内的第一源极/漏极区(11)和第二源极/漏极区(12)、绝缘层(13)和栅极电极(14)，其中所述栅极电极(14)通过绝缘层(13)与半导体衬底(2)分开，-至少一个沟槽电容器(30)，该沟槽电容器具有被布置在沟槽内的内部电容器电极(31)，-布置在半导体衬底(2)内的掺杂物质扩散区(15)，该掺杂物质扩散区连接内部电容器电极(31)与第一源极/漏极区(11)，-至少一个第一印制导线(16)，以及-至少一个第一接触端子(17)，该第一接触端子连接到第一印制导线(16)上，其中第一接触端子(17)接触第一晶体管(10)的第一源极/漏极区(11)，该第一源极/漏极区(11)通过所述掺杂物质扩散区(15)与内部电容器电极(31)连接。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||