发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 可以实现一种提供了对改变温度的条件下的耐用性的改善、同时确保了诸如对利用大电流、低电阻等的应用的可应用性等特性的技术。半导体器件100包括陶瓷多层互连衬底120、倒装焊接到陶瓷多层互连衬底120的芯片承载区域上的硅芯片110、和设置在陶瓷多层互连衬底120承载硅芯片110一侧的外部连接隆起焊盘161和外部连接隆起焊盘163。硅芯片110包括正面电极和背面电极。陶瓷多层互连衬底120包括由导电材料构成的互连层,互连层包括设置在陶瓷多层互连衬底120正面上和内部的多层互连层。硅芯片的正面电极通过多层互连层中的多层互连与外部连接隆起焊盘161和外部连接隆起焊盘163电连接。 | ||
申请公布号 | CN1819173A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
申请号 | CN200610004507.X | 申请日期 | 2006.01.25 |
申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 田中壮和;小松育男 |
分类号 | H01L23/488(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
主权项 | 1.一种半导体器件,包括:绝缘衬底;倒装焊接到所述绝缘衬底的芯片承载区域上的半导体芯片;以及设置在所述绝缘衬底侧的外部安装端,在其上承载所述半导体芯片,其中所述半导体芯片包括设置在所述半导体芯片的元件形成表面上的正面电极和设置在所述半导体芯片的背面上的背面电极,其中所述绝缘衬底包括由导电材料构成的互连层,其中所述互连层包括设置在所述绝缘衬底的正面上及其内部的多层互连层,以及其中将所述半导体芯片的所述正面电极通过所述多层互连层中的多层互连与所述外部安装端电连接。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |