| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，CMOS图像传感器具有在光电二极管和隔离层之间的边界区域上的最小的暗电流。本发明包括：第一导电型掺杂区，形成在衬底的器件隔离区中，该第一导电型掺杂区围绕隔离区；以及介电层，形成在隔离层和第一导电型掺杂区之间，其中，第一导电型掺杂区和介电层位于隔离层和第二导电型扩散区之间。 | ||
| 申请公布号 | CN1819234A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510135143.4 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：第一导电型半导体衬底，由有源区和器件隔离区限定；隔离层，形成在所述衬底的所述器件隔离区中；第二导电型扩散区，形成在所述衬底的所述有源区中；第一导电型掺杂区，形成在所述衬底的所述器件隔离区中，所述第一导电型掺杂区围绕所述隔离区；以及介电层，形成在所述隔离层和所述第一导电型掺杂区之间，其中，所述第一导电型掺杂区和所述介电层位于所述隔离层和所述第二导电型扩散区之间。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||