| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其可以防止在器件隔离膜和光电二极管区之间产生的暗电流，以提高图像传感器的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1819225A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510097488.5 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：第一导电型半导体衬底，由有源区和器件隔离区限定；器件隔离膜，形成在所述器件隔离区中；第二导电型轻掺杂扩散区，形成在所述有源区中；以及第一导电型重掺杂外延层，在所述器件隔离膜的外围中形成，所述第一导电型重掺杂外延层包括所述器件隔离膜和所述第二导电型轻掺杂扩散区之间的边界部分。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||