发明名称 |
一种高速光电探测器台面式芯片 |
摘要 |
本实用新型提供一种高速光电探测器台面式芯片,其台面为正台面,包括P区和I区,该台面的顶部与底部的高度H为2~4μm,其特征在于,所述台面的顶部与底部之间至少设有一个以上的台阶,且相邻台阶之间形成一径向宽度为2~5μm的圆环形平坦缓冲区,其中由台面的顶部向下的第一个台阶为帽层厚度h1为0.9~1.2μm,其后向下的各台阶高度h2为0.8~1.2μm。由于台面顶部和底部之间形成有多个台阶,且相邻台阶之间具有一个平坦缓冲区,使台面涂胶均匀,台面钝化和电极引线均可以在所述平坦缓冲区进行缓冲,能够解决现有方法中因台面顶部至底部的台阶太陡导致台面钝化和引线困难的问题。 |
申请公布号 |
CN2807482Y |
申请公布日期 |
2006.08.16 |
申请号 |
CN200520059828.0 |
申请日期 |
2005.06.09 |
申请人 |
深圳飞通光电股份有限公司 |
发明人 |
曹均凯;杨文宗;王国栋 |
分类号 |
H01L27/14(2006.01);H01L31/08(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/14(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种高速光电探测器台面式芯片,其台面为正台面,包括P区和I区,该台面的顶部(21)与底部(22)的高度H为2~4μm,其特征在于,所述台面的顶部(21)与底部(22)之间至少设有一个以上的台阶(23),且相邻台阶之间形成一径向宽度为2~5μm的圆环形平坦缓冲区(24),其中由台面的顶部(21)向下的第一个台阶为帽层厚度h1为0.9~1.2μm,其后向下的各台阶高度h2为0.8~1.2μm。 |
地址 |
518057广东省深圳市高新技术产业园南区科技南十二路飞通大厦 |