| 发明名称 | 包括柱子图形的闪速存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种闪速存储器件，它包括：柱子图形，形成在选择的浮置栅对之间；以及控制栅延伸，进入选择的浮置栅对之间。本发明还提供了制造该闪速存储器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1819212A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510135826.X | 申请日期 | 2005.12.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金东赞 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种闪速存储器件，包括：隔离层，形成在半导体衬底上，而且限定多个平行激活区；多个浮置栅，形成在激活区的上方，而且其宽度大于激活区的宽度；柱子图形，其侧壁和下表面被隔离层覆盖，而且位于浮置栅的下表面的下面；以及多个控制栅极，与浮置栅重叠，而且穿过激活区，其中每个控制栅极分别包括进入浮置栅之间而且位于柱子图形上方的控制栅延伸。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||