| 发明名称 | 使用电子束辐射形成增强晶体管栅极的方法及包括该晶体管栅极的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种栅极宽度小于70nm的晶体管的制造方法，该方法包含对一个成像在光阻层的栅极(26，36)进行电子束辐射(12)，对一个成像在光阻层的栅极(26，36)进行修整，将光阻层上的栅极图案蚀刻至位于光阻层下的多晶硅层(40)上，所述栅极图案是经由电子束的曝光而形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1270353C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN02807510.2 | 申请日期 | 2002.02.22 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | P·A·费希尔;C－Y·杨;M·V·普莱特;R·R·A·卡拉汉;A·M·卡舒尼亚 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/308(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种集成电路制造方法，该方法包含一种将一个晶体管栅极图案(26，36)成像在一个光阻层上的步骤，其特征在于：以电子束将该晶体管栅极图案(26，36)固化；然后，修整该固化的晶体管栅极图案(26，36)；以及然后，将该修整过的晶体管栅极图案成像到位于该修整过的图案下的层(40，42)，以形成一个晶体管栅极，其中该晶体管栅极包括一个宽度和一个长度，而且沿着该晶体管栅极长度方向的该宽度的变化则会因为该固化步骤而减少。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维耳市 | ||