| 发明名称 | 半导体存储设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有电容的的半导体存储设备，其中电容包括具有钙钛晶体结构的铁电层，以及放置来把铁电层夹在中间的下电极和上电极，其中钙钛晶体结构通常由通式ABO<SUB>3</SUB>表示，包括作为占据晶格A的元素A的铅(Pb)，作为占据晶格B的元素B的锆(Zr)和钛(Ti)；其中所述铁电层在所述下电极侧上和上电极侧上都具有一区域，每一区域中Zr和Ti的比率(Zr/Ti比率)在厚度方向上等于或高于所述铁电层的中心部分的Zr/Ti比率，并且至少一个在所述下电极侧上和在上电极侧上的区域的Zr/Ti比率高于所述中心部分的Zr/Ti比率。 | ||
| 申请公布号 | CN1270383C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200310123527.5 | 申请日期 | 2003.12.26 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 中川隆史 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
| 主权项 | 1.一种具有电容的半导体存储设备，其中电容包括具有钙钛晶体结构的铁电层，以及放置来把所述铁电层夹在中间的下电极和上电极，其中钙钛晶体结构通常由通式ABO3表示，包括作为占据晶格A的元素A的铅(Pb)，作为占据晶格B的元素B的锆(Zr)和钛(Ti)；其中，所述铁电层在所述下电极侧上和上电极侧上都具有一区域，每一区域中，Zr和Ti的比率、即Zr/Ti比率在厚度方向上等于或高于所述铁电层的中心部分的Zr/Ti比率，并且在所述下电极侧上和在上电极侧上的至少一个区域的Zr/Ti比率高于所述中心部分的Zr/Ti比率。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||