半导体激光器装置

摘要

低反射膜从与激光器芯片接触的一侧开始依次由折射率为n1及膜厚为d1的第1介质膜、折射率为n2及膜厚为d2的第2介质膜、折射率为n3及膜厚为d3的第3介质膜、折射率为n4及膜厚为d4的第4介质膜形成，具体地，第1介质膜上使用折射率n1＝1.638的氧化铝Al₂O₃、在第2介质膜及第4介质膜上使用折射率n2＝n4＝1.489的氧化硅SiO₂、在第3介质膜上使用折射率n3＝2.063的氧化钽Ta₂O₅。从而，能够获得具有可稳定控制的反射率的半导体激光器。

主权项

1.一种半导体激光器装置，在激光器芯片的两个端面上分别具有高反射膜和低反射膜，其特征在于，该低反射膜由多层介质膜构成，并且从与激光器芯片接触的一侧开始，依次包括：折射率为n1的第1介质膜、折射率为n2的第2介质膜、折射率为n3的第3介质膜、折射率为n4的第4介质膜，各折射率满足n2＝n4＜n3＜n1的关系。