| 发明名称 | 存储元件、微电子器件、其制造方法及存储信息的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储元件和微电子器件及其制造方法。所述存储元件包括：第一数量的电极和第二数量的导电沟道，所述沟道在两电极子组之间，所述沟道表现出在不同的状态之间可逆转换的电阻，其中，第一数量大于二且第二数量大于第一数量的二分之一。导电沟道可以设置为过渡金属氧化物材料，其表现出可逆转换电阻，其归因于在电极和过渡金属氧化物材料之间的界面处的转换现象。 | ||
| 申请公布号 | CN1819296A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510108818.6 | 申请日期 | 2005.09.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 桑托斯·F·阿尔瓦拉多;格哈德·I·梅杰;乔格·贝德诺兹 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种存储元件，包括：第一数量的电极和第二数量的导电沟道，所述沟道的每一个将所述电极的一个连接到所述电极的另一个，所述沟道表现出能够在不同状态之间可逆转换的电阻，其中，所述第一数量大于二且所述第二数量大于第一数量的二分之一。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||