| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器，其包括：第一导电类型半导体衬底，包括有源区和器件隔离区；器件隔离膜，形成于半导体衬底的所述器件隔离区中；第二导电类型扩散区，形成于半导体衬底的有源区中；以及离子注入阻止层，形成于器件隔离膜的附近区域中，该附近区域包括器件隔离膜与第二导电类型扩散区之间的边界部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1819232A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510135140.0 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：第一导电类型半导体衬底，包括有源区和器件隔离区；器件隔离膜，形成于所述半导体衬底的所述器件隔离区中；第二导电类型扩散区，形成于所述半导体衬底的所述有源区中；以及离子注入阻止层，形成于所述器件隔离膜的区域中，所述区域包括所述器件隔离膜与所述第二导电类型扩散区之间的边界部分。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||