| 发明名称 | 用于制造CMOS图像传感器的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造CMOS图像传感器的方法，其中针对表面被使得荷电至一正电势的微透镜来执行电子簇射，以便中和该正电势，从而改善该图像传感器的性能和产出。 | ||
| 申请公布号 | CN1819150A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510135088.9 | 申请日期 | 2005.12.23 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 林必欧 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦 |
| 主权项 | 1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：在被分为有源区域和垫区域的半导体基板上的垫区域中形成金属垫；在包括所述金属垫的半导体基板的整个表面上形成钝化层；选择性地去除所述钝化层以暴露所述金属垫，从而形成金属垫敞开部分；在包括所述金属垫敞开部分的半导体基板的整个表面上形成阻挡层；在所述有源区域的阻挡层上形成R，G和B滤色器层；在所述滤色器层上形成微透镜；去除所述垫区域的阻挡层；以及执行电子簇射，以中和在所述微透镜俘获的正电势。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||