光刻制程中对掩膜图案进行光学邻近修正的方法

摘要

本发明提供一种在光刻制程中利用数据建模对掩膜图案进行光学邻近修正的方法，适用于集成电路的两维结构修正。其在常规方法的基础上，调整了在测量相邻近的两个线端间距时所采取的测量位置，通过测量位置的改变，可以达到更好地建模，精确模拟和修正的目的。

主权项

1、一种在光刻制程中利用数据建模对掩膜图案进行光学邻近修正的方法，其通过对光刻制程的产品进行数据测量采集来建立模型，用于预先对掩膜版上的电路结构进行补偿性修正，包括以下步骤：测量收集光刻形成的长条形电路的线宽数据；测量收集光刻形成的长条形电路中相邻近两个线端的间距数据；将采集的数据建立模型，利用此模型对掩膜版上的电路结构进行光学邻近修正；其特征在于，在测量线端间距时，所采取的测量位置偏离线端的中线一定距离。