| 发明名称 | 使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件 | ||
| 摘要 | 一种使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件。特别地，一种由能够形成纳米沟道的介孔材料组成的存储器件，其中具有填充入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层配置在上电极和下电极之间。因而，该存储器件具有高的加工性，并显示了优异的重现性和均一的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1819204A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200510127061.5 | 申请日期 | 2005.11.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 周原提;林珍亨;李光熙;李相均 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉;贾静环 |
| 主权项 | 1.一种存储器件，其包含：下电极；上电极；和存储层，其中该存储层配置在上和下电极之间并包含介孔材料，其中该存储层包含纳米沟道，其中该纳米沟道包含金属纳米颗粒或金属离子。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||