| 发明名称 | 抑制半导体制造过程中镀铜或镀金属表面和电路的腐蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在镀铜或镀金属半导体器件的制造中使用的处理槽，和一种抑制浸没在处理槽中含水流体中的半导体器件中镀铜或镀金属表面和电路的腐蚀的方法，该方法包括向含水流体中加入有效抑制腐蚀量的一种或多种芳香性三唑腐蚀抑制剂；用荧光法监测含水流体中芳香性三唑腐蚀抑制剂的浓度；和向含水流体中加入另外的芳香性三唑腐蚀抑制剂，以保持芳香性三唑腐蚀抑制剂在含水流体中的有效抑制腐蚀浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN1820231A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200480019533.9 | 申请日期 | 2004.06.07 |
| 申请人 | 纳尔科公司 | 发明人 | B·V·詹金斯;J·E·胡特斯 |
| 分类号 | G05B1/00(2006.01) | 主分类号 | G05B1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 沙捷 |
| 主权项 | 1.一种抑制浸没在处理槽中含水流体中的半导体器件中镀铜或镀金属表面和电路的腐蚀的方法，包括(i)向该含水流体中加入有效抑制腐蚀量的一种或多种芳香性三唑腐蚀抑制剂；(ii)用荧光法监测该含水流体中芳香性三唑腐蚀抑制剂的浓度；和(iii)向该含水流体中加入另外的芳香性三唑腐蚀抑制剂，以保持该含水流体中芳香性三唑腐蚀抑制剂的有效抑制腐蚀浓度。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||