| 发明名称 | 硅构件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅构件及其制造方法，该硅构件在半导体制造工序、特别是等离子体处理工序中，可以抑制构件自身的电阻率变动，由此，可以实现晶片处理的均匀化，并且对被处理晶片等不构成杂质污染源。经由以下工序制造电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的硅构件：制造被掺杂了13族原子、固有电阻率大于等于1Ω·cm、小于等于100Ω·cm的P型单晶硅的工序；以及通过将所述P型单晶硅在大于等于300℃、小于等于500℃的温度下进行退火处理，形成氧施主，从而进行P/N反转的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1819119A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200610008940.0 | 申请日期 | 2006.01.28 |
| 申请人 | 东芝陶瓷株式会社;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 森谷正孝;鹿岛一日儿;宫野真一 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3213(2006.01);H01L21/00(2006.01);C23F1/00(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种硅构件，其是由掺杂了13族原子的单晶硅构成的、通过利用退火处理形成氧施主而进行了P/N反转的硅构件，其特征在于，电阻率大于等于0.1Ω·cm、小于等于100Ω·cm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||