| 发明名称 | 用于形成半导体装置和其上结构的方法 | ||
| 摘要 | 在中间层次介电层(36)中形成仿真特征(64，65，48a，48b)。在一个实施例中，非间隙填充介电层(72)形成于仿真特征(64，65，48a，48b)上以在仿真特征(64，65，48a，48b)之间或仿真特征(48a)和载流区域(44)之间形成空隙(74)。在一个实施例中，钝化层(32和54)是通过化学镀形成的以保护下面的导电区域(44，48a，48b和30)免遭空气缝隙(74)穿透。此外，钝化层(32和54)悬垂在下面的导电区域(44，48a，48b和30)上，从而限定邻近导电区域(48a，44和48b)的仿真特征(65a，65b和67)。钝化层(32和54)可以形成而无须额外的构图步骤并有助于最小化失配的通孔穿透空气缝隙。 | ||
| 申请公布号 | CN1820365A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN03825687.8 | 申请日期 | 2003.09.23 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 辛迪·K·高尔德伯格;斯坦雷·M·菲利皮亚克;约翰·C·弗雷克;李勇杰;布莱德雷·P·史密斯;尤瑞·E·索罗门特塞弗;泰瑞·G·斯巴克斯;克尔克·J·斯特罗塞伍斯基;凯瑟琳·C·于 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/288(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体装置(10)的方法，该方法包括：提供半导体衬底(12)；形成第一介电层(34或36)；构图该第一介电层以形成第一开口；在第一开口中形成导电区域(30或44)；和化学镀导电区域上的钝化层(32或54)。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||