| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCTION OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1690284(A2) |
申请公布日期 |
2006.08.16 |
| 申请号 |
EP20040799854 |
申请日期 |
2004.11.19 |
| 申请人 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
NAKAMURA, MASATERU |
| 分类号 |
C30B9/06;H01L21/00;C30B9/00;C30B11/00;C30B19/02;C30B19/04;C30B29/36 |
主分类号 |
C30B9/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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