| 发明名称 | 电容器结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括在阻挡层(48)之上淀积金属氧化物电介质材料(50)的方法。该阻挡层包括金属和碳、硼、和氮中的一种或多种的合成物，该电介质材料的金属氧化物可以包括与阻挡层相同的金属。该电介质材料/阻挡层结构可以结合到电容器中。例如，该电容器可以用在DRAM单元中，该DRAM单元可以用在电子系统中。 | ||
| 申请公布号 | CN1820352A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200480019569.7 | 申请日期 | 2004.05.04 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | C·巴斯切里;F·D·吉利;G·S·桑胡 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/334(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种形成包含电介质材料的结构的方法，该方法包括：在衬底上形成包括MCx、MNy和MBq中一种或多种的层；其中M是金属，x、y和q是大于0的数；以及在形成该层之后，在该层上直接淀积包括MOz的电介质材料，其中z是大于0的数。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||